Apple A17 Bionic 的性能提升可能低于最初预期

过去几周，互联网上一直流传着明年的旗舰移动 AP(Apple A17 Bionic和 Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3)的暂定性能数据。不出所料，前者将击败后者，主要是因为它采用台积电的尖端 3 纳米工艺制造。相比之下，据传后者坚持使用 5 纳米衍生产品 (N4P)。然而，泄露 A17 Bionic Geekbench 分数的泄密者 @tech_reve 现在修改了他们最初的说法。

泄密者表示，由于台积电的 N3B 节点没有按计划进行，Apple 闪亮的新 SoC 可能提供比最初预期低 20% 的性能提升。由于 FinFET 的持续问题，该芯片制造商降低了产量和性能目标。另一位泄密者RGCloudS插话说，FinFET 不适合 4 纳米以下的晶体管，这可能迫使台积电做出上述改变。

也就是说，由于 Apple 在芯片设计领域的卓越表现，A17 Bionic 仍应提供比其前身令人满意的性能提升。Snapdragon 8 Gen 3 的估计性能数据处于“好得令人难以置信”的范围内。如果没有重大的节点转移和全新的 CPU 核心设计，它们就无法实现。此外，2024 年也标志着三星九核Exynos 2400的回归，从理论上讲，它应该至少可以让高通和联发科抢钱。