三星准备量产第三代4nm芯片

据报道，三星准备在未来几个月内开始大规模生产第三代 4nm 半导体芯片。据韩国媒体报道，该公司计划在 2023 年上半年开始生产新的先进半导体。过去几个月，它一直致力于提高 4nm 解决方案的良率。

据 Business Korea报道，三星将为其第三代 4nm 芯片采用 2.3 代工艺。该出版物称，该公司在致力于解决良率问题的同时，已经能够改善芯片的功耗和性能，这个问题一直困扰着它一段时间。这家韩国科技巨头最近实现了 60% 的 4 纳米半导体成品率，它认为这足以开始大规模生产。

三星提高4nm良率，为第三代量产做准备

良率是衡量每生产 100 个芯片中可用芯片总数的指标。60% 的良品率意味着三星每生产 100 颗芯片就能卖出 60 颗。成品率越高，浪费越少，成本也就越低。较低的收益率也会影响生产能力，因为可用的单位较少。早些时候的报道称，这家韩国公司的第一代 4nm 芯片的良率只能达到35%左右。

据报道，这是高通转向台积电生产 Snapdragon 8+ Gen 1 和 Snapdragon 8 Gen 2 的主要原因。这家公司从一开始就拥有大约 70-80% 的良率。三星获得了 Snapdragon 8 Gen 1 的合同，但这家美国芯片制造商选择了台积电为其最近的芯片组。台积电还有望获得骁龙 8 Gen 3 的制造合同。

另一方面，三星仍然专注于进一步提高先进半导体的良率。该公司在 3nm 芯片方面也遇到了类似的问题。由于这个问题，它的许多大客户正在转向台积电。尽管这家韩国公司在其竞争对手之前开始大规模生产 3nm 解决方案。它在去年 6 月推出了新芯片，而台积电则在 12 月宣布量产。

两家公司都还没有开始为智能手机生产 3nm 处理器。与此同时，三星和台积电都在美国建设新的芯片工厂，计划生产先进的半导体。前者的工厂位于得克萨斯州泰勒，而后者则在亚利桑那州凤凰城建造。两家新工厂都可能在 2024 年上半年投入运营。