美光公开向OnePlus 11、小米13 Ultra和 Motorola Edge Plus 2023等设备的后继产品推销其最新的闪存模块,因为它们符合该类别更新的UFS 4.0要求。这款“移动存储领域的下一个重大产品”采用了 OEM 最新的市场就绪技术,其规格可能会超越上一代产品。
升级到UFS 4.0伴随着232 层3D NAND 芯片的使用,而美光UFS 3.1闪存存储为176层。此次升级的速度最高可达其前身的 2 倍,连续写入和读取速度分别高达每秒 4,000 兆字节 (MB/s) 和 4,300MB/s。
因此,该 OEM 声称其 UFS 4.0 内存“可提供一流的性能”——只要下一代高端智能手机采用它即可。在不久的将来,这些一次性旗舰产品可能会配备高达1TB的这种“同类领先”闪存。
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