SK 海力士凭借全球首款 321 层和 1 Tb TLC NAND 实现超越

SK 海力士刚刚推出了业界最高层的 NAND 技术，采用高达 1 Tb TLC 封装的 321 层设计。

SK 海力士推出 321 层 TLC NAND、1 Tb 闪存技术，将于 2025 年 1 小时内实现量产

新闻稿： SK海力士公司今天展示了321层4D NAND样品，公开了其业界首款300层以上NAND的开发进展。

该公司在 8 月 8 日至 10 日于圣克拉拉举行的 2023 年闪存峰会 (FMS)** 上介绍了 321 层 1Tb TLC* 4D NAND 闪存的开发进展，并展示了样品。

SK海力士在业界率先详细公布了300层以上NAND的开发进展。公司计划提高321层产品的完工水平，并于2025年上半年开始量产。

该公司表示，其在已量产的全球最高238层NAND的成功中积累的技术竞争力，为321层产品的顺利开发铺平了道路。“凭借解决堆叠限制的另一项突破，SK海力士将开启300层以上的NAND时代，并引领市场。”

　　免责声明：本文由用户上传，与本网站立场无关。财经信息仅供读者参考，并不构成投资建议。投资者据此操作，风险自担。 如有侵权请联系删除！