SK 海力士的 1bnm 工艺为下一代 DDR5 RDIMM 和 HBM3E DRAM 解决方案提供动力

SK 海力士宣布其第 5 代 10nm 工艺 1bnm 已完成验证并将为下一代 DDR5 和 HBM3E 解决方案提供动力。

SK 海力士 1bnm 工艺为 DDR5 提供高达 6.4 Gbps 的速度，为 HBM3E 提供高达 8 Gbps 的速度

SK 海力士还确认下一代 1bnm 节点将用于生产 DDR5 和 HBM3E(高带宽内存)解决方案。该公司表示，至强可扩展平台获得了英特尔认证，支持基于 1bnm 节点构建的 DDR5 产品。1bnm DDR5 内存的成功评估发生在 1annm(第 4 代 10nm 节点)已经准备就绪并且也已完成英特尔认证的情况下。

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在成功验证我们的 1anm 服务器 DDR5 产品与第四代英特尔® 至强® 可扩展处理器的兼容性后，SK 海力士预计 1bnm DDR5 产品与英特尔的验证过程将顺利进行。

在内存市场将从下半年开始复苏的预期越来越高的情况下，我们相信我们行业领先的 DRAM 技术，这次通过 1bnm 工艺的量产再次证明，将帮助我们提高下半年的盈利。

开发初期试运行的DDR5产品运行速度为4.8Gbps，而JEDEC标准规定的DDR5最高速度为8.8Gbps

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