高通 Snapdragon 8 Gen 4 的功耗

既然适用于 Galaxy 的Snapdragon 8 Gen 3和Snapdragon 8 Gen 3已经发布，那么现在是时候关注高通今年晚些时候为我们准备的产品了：Snapdragon 8 Gen 4(SM8750)。到目前为止，泄露的信息显示它将配备 6 个 Phoenix L 和 2 个 Phoenix M CPU 内核。高通公司内部代号为 Sun，如果有关其功耗的一些传言属实的话，那么这是理所当然的。

韩国科技论坛DCInside上的一篇帖子称，其高性能核心之一的功耗高达 5.47 瓦。两个核心的总功率高达 9.32 瓦。这些是高通公司的新Nuvia(可能是 Phoenix L)内核，而不是现成的 Arm Cortex 变体。同样，Phoenix M 核心在受压时会消耗 1.1 瓦的功率。在全核心工作负载中，Snapdragon 8 Gen 4 的功耗高达 14.2 瓦。

这些数字是在早期的 Snapdragon 8 Gen 4 工程样本上测得的，在发布前的几个月内可能会发生变化。14 瓦对于智能手机的外形尺寸来说有点太热了，需要强大的冷却解决方案来控制热量。再加上台积电 N3E 工艺提高的晶体管密度，应该会给 Snapdragon 8 Gen 4 带来与MediaTek Dimensity 9400和基于三星 3GAP 的Exynos 2500相比所需的竞争优势。

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