三星推出 GDDR6W 标准 其容量是 GDDR6X 的两倍

三星在推出 GDDR7 规格后不到 2 个月就宣布了GDDR6W规格。看起来集成 GDDR7 VRAM 芯片的产品可能需要更长的时间才能上市，因为三星声称 GDDR6W VRAM 产品的 JEDEC 标准化已经在今年第二季度完成，这家韩国巨头正计划将此标准尽快进入笔记本电脑和高性能计算领域。除了提供比24 Gbps GDDR6X更高的带宽以及双倍的容量和 I/O 引脚芯片方面，GDDR6W 标准采用革命性的 FOWLP(扇出晶圆级封装)设计开发，占用空间不变，因此集成商可以使用与 GDDR6X 相同的生产工艺，并减少实施时间和成本。

现在每个裸片的容量从 16 Gb 增加了一倍到 32 Gb，而 I/O 引脚数量从 32 增加了一倍到 64。这不仅意味着比 GDDR6X 面积减少了 50%，而且 FOWLP 还降低了裸片的高度通过消除 PCB 基层并将其替换为集成 VRAM 芯片本身的硅晶片，从 1.1 毫米到 0.7 毫米。

就原始带宽而言，三星表示 GDDR6W VRAM 几乎可以更有效地匹配 HBM 标准。HBM2E芯片的系统级带宽为 1.6 TB/s，具有 4096 个 I/O 引脚和每个引脚 3.2 Gbps 的传输速率，而新的 GDDR6W 标准提供 1.4 TB/s 的带宽，具有 512 个 I/O 引脚和 22 Gbps 的速率每针。将 I/O 通道数量减少 8 倍基本上消除了对插入层的需求，并使其对产品集成商而言更具成本效益。作为参考，GDDR6X 提供高达 1.1 TB/s 的带宽，因此 GDDR6W 将快约 30%。另一方面，GDDR7 有望通过 384 位总线提供 1.7 TB/s 的带宽。